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JOB CATEGORY
R&D
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職種Role
ハードウェアエンジニア
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職務内容Job description
将来通信のキーデバイスであるGaN材料系高周波パワーアンプや、重要施設の監視・インフラ点検等に用いる高感度赤外線センサなど、化合物半導体を用いた光・電子デバイスの研究開発を行い、自社製品の高性能化と顧客訴求力向上に貢献する。
高周波パワーアンプについては、電波送信の容量や到達距離を飛躍的に高めるための、高性能かつ省電力なトランジスタとその集積回路を開発する。
赤外線センサについては、入射する赤外線を高い効率で電気信号に変換する受光素子と、電気信号を増幅して画像として出力する読出回路と、その集積化技術を開発する。
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個人に期待する役割やミッションRoles and responsibilities
本ポジションは、材料レベルから半導体デバイスの研究開発を行い、性能を飛躍的に向上させることがミッションとなります。キーとなる部分の研究を単独で行う側面と、複数名のチームでデバイス/回路の試作評価を行う側面があります。材料/デバイスに対する深い洞察力と共に、新原理/新構造を創出する発想力に期待します。
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必須のキャリア、スキル、資格などBasic qualifications
以下1項目以上の経験必須
・半導体デバイス開発
・結晶成長
・回路設計
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歓迎するキャリア、スキル、資格などPreferred qualifications
以下の経験があること
・半導体プロセス開発
・高周波デバイス開発
・光学センサ開発
・CAD
・デバイスや電磁界などのシミュレーション
・電気的・光学的な評価
・高周波特性評価
・国際会議での発表経験
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語学力Language requirements
英語：日常会話レベル
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募集元企業名Corporate Name
富士通株式会社
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配属想定組織Unit
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備考Notes
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勤務地Location
厚木研究所
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こだわり検索Preferred Conditions
■歓迎要件
若手歓迎
